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| 公司名稱： |
大芯超導有限公司 |
公司類型： |
企業單位 () |
| 所 在 地： |
廣東/深圳市 |
公司規模： |
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| 注冊資本： |
未填寫 |
注冊年份： |
2012 |
| 資料認證： |
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| 經營范圍： |
CREE碳化硅SiC MOSFET國產替代，英飛凌碳化硅SiC MOSFET國產替代，Wolfspeed碳化硅SiC MOSFET國產替代，英飛凌碳化硅MOSFET模塊國產替代，英飛凌混合SiC-IGBT單管國產替代，IMZA120R040M1H國產替代，IMW120R040M1H國產替代，IMW120R045M1國產替代，C3M0075120D國產替代，C3M0160120D國產替代，C3M0040120K國產替代，I型NPC1三電平IGBT模塊，T型NPC2三電平IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊國產替 |
| 銷售的產品： |
英飛凌IGBT單管國產替代，英飛凌混合IGBT單管國產替代，英飛凌IGBT模塊國產替代，BGH50N65HF1，IKW50N65RH5國產替代，AIKW50N65RF5國產替代，IKW50N65SS5國產替代，英飛凌混合SiC-IGBT單管國產替代，BGH50N65ZF1，IKW50N65ET7國產替代，IKW50N65ES5國產替代，BGH75N65HF1，IKW75N65RH5國產替代，IKW75N65SS5國產替代，BGH75N65ZF1，IKW75N65ES5國產替代，IKW75N65ET7國產替 |
| 采購的產品： |
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管，分立IGBT,混合IGBT模塊,混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT單管，混合IGBT單管，國產SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國產SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，國產TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC |
| 主營行業： |
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